LED照明的部落格

LED價格下滑趨勢不變，LED晶片廠不斷在製程與技術方面進行改善以降低成本，半導體設備廠極特先進科技(GT ADVANCED TECHNOLOGIES)開發取代MOCVD中nGaN和uGaN生長製程的HVPE系統，未來LED晶片廠可以透過增加HVPE系統的方式加速磊晶生長，相較以添購MOCVD方式擴增產能，輔以HVPE系統擴增產能可望為LED晶片廠最高省下25%的資本支出。

GT已在2013年5月發表利用Soitec Phoenix Labs（Soitec旗下子公司）獨家擁有的HVPE專利技術，HVPE技術的特點是生長速率快，能夠以較低的成本快速生長nGaN和uGaN，HVPE所用的前驅體(GaCl3)也比MOCVD所需要用的前驅體TMG，便宜10倍，加上HVPE系統在nGaN和uGaN的產出速度較MOCVD快，因此，LED晶片廠未來可以透過增加HVPE系統方式擴增產能。

GT舉例說明指出，一台HVPE的產能相當於2台MOCVD,也就是對於一個已經擁有12台MOCVD的LED晶片廠來說，廠商若希望將產能增加一倍，已往就是採取再度購置12台MOCVD方式達成目標，但現在可以在不添增MOCVD機台下，進而購置6台HVPE系統，以HVPE系統取代nGaN和uGaN的生長製程，同時可以讓MOCVD機台專注於其他layer的生長達到產能擴增的目標，這樣一來，LED晶片廠購置設備成本將可望明顯降低。

GT指出，HVPE系統可實現藍寶石基GaN的規模化、低成本生產，估計HVPE系統可降低超過80%的前驅體成本，同時提高昂貴MOCVD製程的產量，最高可以為LED晶片廠降低25%資本支出，HVPE系統預計將於2014年下半年上市。

via LEDINSIDE